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Tesi di dottorato e di master >
Scienza e tecnologia dei materiali innovativi, Tesi di dottorato >

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/1889/746

Titolo: Study of electrically active defects in structures with InAs quantum Dots in GaAs matrix
Autori: Prezioso, Mirko
Editore: Universita' degli studi di Parma. Dipartimento di Fisica
Istituto IMEM-CNR Parma
Tipo di documento: Doctoral thesis
Titolo del dottorato o master: Dottorato in scienza e tecnologia dei materiali innovativi
Data: mar-2008
Rights: © Mirko Prezioso, 2008
InScienza e tecnologia dei materiali innovativi, Tesi di dottorato

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