DSpaceUnipr DSpaceUnipr
      Le Biblioteche dell'Università    |    Periodici elettronici    |    Banche dati    |    Cataloghi online

DSpace a Parma >
Tesi di dottorato e di master >
Tecnologie dell'informazione, tesi di dottorato >

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/1889/3597

Titolo: Electrical measurements and numerical simulations of Ion Implanted 4H-SiC PiN diodes
Autori: Puzzanghera, Maurizio
Editore: Università di Parma. Dipartimento di Ingegneria ed Architettura
Tipo di documento: Doctoral thesis
Titolo del dottorato o master: Dottorato di ricerca in Tecnologie dell'informazione
Data: 27-mar-2018
Rights: © Maurizio Puzzanghera, 2018
InTecnologie dell'informazione, tesi di dottorato

Full text:

File Descrizione DimensioniFormatoConsultabilità
relazione-finale_MaurizioPuzzanghera.pdfRelazione finale attività triennio 2014/201739,03 kBAdobe PDFnon consultabile
TesiDottorato_MaurizioPuzzanghera_Rev.pdfTesi di Dottorato 3,26 MBAdobe PDFconsultabile a partire dal: 1/4/2019


Questo documento è protetto dal copyright originale


Questo documento è distribuito in accordo con Licenza Creative Commons
Creative Commons


Tutti i documenti archiviati in DSpaceUnipr sono protetti da copyright. Tutti i diritti riservati.


Segnala questo record su
Del.icio.us

Citeulike

Connotea

Facebook

Stumble it!

reddit


 

  Browser supportati Firefox 3+, Internet Explorer 7+, Google Chrome, Safari

ICT Support, development & maintenance are provided by CINECA. Powered on DSpace Software
CINECA