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Chimica. Tesi di dottorato >

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/1889/3076

Titolo: Electrical investigation of p-type 4H-SiC heavily doped by ion implantation
Autori: Gorni, Marco
Editore: Università degli Studi di Parma. Dipartimento di Fisica
Tipo di documento: Doctoral thesis
Titolo del dottorato o master: Dottorato di ricerca in Scienza e Tecnologia dei Materiali Innovativi
Data: 2016
Rights: © Marco Gorni, 2016
InChimica. Tesi di dottorato

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thesis.pdfTesi di dottorato3,93 MBAdobe PDFconsultabile a partire dal: 1/6/2017


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